精銦,二氧化鍺,氧化鉍,鉍錠,硒粉,鍺錠,錫錠

砷化鎵材料可以采用離子注入摻雜工藝直接制造集成電路，盡管由砷化鎵取代硅、鍺的設想尚未實現，但它在激光、發光和微波等方面已顯示出優異的性能。砷化鎵外延技術還有分子束外延和金屬有機化合物汽相沉積外延。

砷化鎵材料的制備與硅相仿，砷化鎵材料也可分為體單晶和外延材料兩類。體單晶可以用作外延的襯底材料，也可以采用離子注入摻雜工藝直接制造集成電路（采用高質量、大截面、半絕緣砷化鎵單晶）。重點是液封直拉法（即液封喬赫拉斯基法，簡稱LEC法）,但水平舟生長法（即水平布里其曼法）因制出的單晶質量和均勻性較好，仍然受到一定的重視。液封直拉法的一個新發展是在高壓單晶爐內用熱解氮化硼(PBN)坩堝和干燥的氧化硼液封劑直接合成和拉制不摻雜、半絕緣砷化鎵單晶。另外，常壓下用石英坩堝和含水氧化硼為液封劑的方法也已試驗成功。不論水平舟生長法或是液封直拉法，晶體的直徑均可達到100∼150毫米而與硅單晶相仿。

砷化鎵的外延生長按工藝可分為氣相和液相外延，所得外延層在純度和晶體完整性方面均優于體單晶材料。