精銦,二氧化鍺,氧化鉍,鉍錠,硒粉,鍺錠,錫錠

鍺單晶的制備方法有兩種︰一種是直拉法，另一種是區熔勻平法。

ヾ直拉法是將鍺錠置于坩堝中熔化，然後用一固定在拉桿上的鍺晶體作籽晶，垂直浸入溫度略高于熔點的熔融鍺中，以一定的速度從熔體向上拉出，熔融鍺便按籽晶的結晶方向凝固。通過控制拉速、坩堝和籽晶轉速等措施，以及自動控制爐溫和單晶直徑等技術，可以制成n型電阻率為 0.003∼40歐姆•厘米、p型電阻率為0.002∼40歐姆•厘米、位錯密度為500∼3000厘米-2、直徑為20∼300毫米的鍺單晶。

ゝ區熔勻平法所用的爐子為水平式石英管加熱爐，能生產電阻率均勻的鍺單晶，電阻率的徑向均勻度為±3％，縱向均勻度為±7％，位錯密度為103厘米^-2，單晶截面為5∼12厘米^2。